4月17日工作日志

生长外延片：

波长3um  InGaAsSb/AlGaInAsSb量子阱

波长2.3大应变  InGaSb/AlGaAsSb量子阱

生长厚度为2.1um的实验外延片用作实验的陪片

 

 

生长工艺日志 Comments(0) 2012年4月16日 00:48

4月16日工作日志

干法刻蚀：试验片

明天早上 8:30  湿法腐蚀vg120407实验片   

         9:30  干法刻蚀 vg120407实验片

               去除衬底背后的油污，再去除光刻胶，然后切片观察条形脊的SEM

               清洁器件的外延片                

    下午       下午预约淀积SiO2薄膜

               下午清洗器件的外延片

               预约观察ＳＥＭ

生长工艺日志 Comments(0) 2012年4月14日 20:47